美光计划明年量产 32Gb DDR5 颗粒，单条内存容量可达 128GB

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IT之家7月27日消息，美光宣布其HBM3 Gen 2内存正在向客户提供样品，其32Gb DDR5颗粒将于2024年出货，采用基于DUV的1βnm工艺，单条内存容量可达128GB然后。

据美光介绍，1β技术可将能源效率提升约15%，并将内存密度提升35%以上。 有业内人士分析，美光的1β技术大致相当于14-12nm工艺。

IT之家注：Gb 是兆位（G bit），是 DRAM 密度的单位，与 GB（G Byte）不同。 一根内存条有多个DRAM颗粒，这些DRAM颗粒的组合就是Rank（内存块），其中最大逻辑容量为128GB。

美光尚未透露其 32Gb DRAM 的数据，但考虑到这些产品是美光第三代 DDR5 技术的一部分，预计速度会相当快。

据介绍，此类32Gb产品对于数据中心级内存尤其有利，为1TB DDR5内存（使用32个8-Hi 32Gb芯片）打开了大门。 不过，目前来看，美光并不着急。 明年最多仅提供128GB DDR5内存，但未来将推出192GB和256GB DDR5内存。

此外，美光周三发布的路线图重申了美光计划在 2024 年中期量产 32 GT/s 16/24GB GDDR7 芯片和 32/64GB 内存。 未来内存可提供1.5TB/s 2+ TB/s带宽。

目前，美光官网列出的DDR5 SDRAM产品均为16Gb和24Gb产品，包括1Gb×16、2Gb×8、4Gb×4和3Gb×8。 量产型号的规格均显示为DDR5 4800。

值得一提的是，根据三星去年10月公布的DRAM路线图，其32Gb DDR5颗粒也将于2024年推出。

据三星官网显示，其DDR5 SDRAM产品也是16Gb型号，提供2GB×8和1GB×16两种规格，速率也显示为DDR5 4800。

SK海力士官网PPT显示，该公司也是16Gb产品，包括2Gb×8两种形式，容量从8GB到32GB不等，采用4、8、16、10、20颗DRAM芯片，规格全部DDR5 4800。